поиск 
 
 
 
 
 
 Белые страницы однополчан
 Ищу тебя
 Список погибших 1941-1945
 Солдатские медальоны 1941-45
 
 
 
 
 
 
 История Отечества
Русско-турецкая война
Русско-японская война
Первая мировая война
Гражданская война
Вторая мировая война
Необъявленные войны СССР
Война в Афганистане
Война в Чечне
Грузино-российский конфликт
Осетино-ингушский конфликт
 
 
 
 Великие битвы
 Аллея Славы
 Великие полководцы
 
 
 
 
 
 
 Знаменательные даты
 Фронтовые письма
 Истории очевидцев
 Военные потери в войнах XX в.
 Города-герои
 
 
 
 
 
 
 Военная геральдика
Флаги РСФСР, 1918-1922
Знаки СССР
Ордена СССР
Медали СССР
Юбилейные медали СССР
Флаги СССР
Знаки отличия РФ
Ордена РФ
Медали РФ
Флаги РФ
 Организации
 Законодательные документы
 Военные песни
 Энциклопедия военной техники
 Военная проза и поэзия
 Кинофильмы
 


 
 
Наши проекты
Мировые новости Сайты для компаний Служба рассылки Игровой сервер Открытки любимым
Тесты
 
 



 



Russian Information Network
 
 

"Мнущаяся" электроника: новый технологический прорыв

<<назад

Разработана новая технология создания пленочных полупроводников толщиной несколько сотен нанометров, которая может значительно улучшить характеристики гибких электронных устройств и снизить их энергопотребление.

Команда ученых под руководством инженера электроники и компьютерных наук Чжэнцяна Ма (Zhenqiang Ma) и специалиста по материалам Макса Лагалли (Max Lagally) из университета Висконсин-Мэдисон разработала процесс отделения полупроводниковой пленки толщиной в один кристалл от подложки, на которой он был выращен, сообщает PhysOrg.

Этот тончайший слой толщиной в несколько сотен нанометров может быть нанесен на стекло, пластик и любой другой гибкий материал, что открывает широкие возможности для дальнейшего развития "мнущейся" электроники.

Кроме того, при переносе на материал проводник можно перевернуть и разместить на его обратной стороне другие полупроводниковые компоненты, изготовленные по аналогичной технологии. Это удваивает производительность таких устройств. Из нескольких слоев двусторонних полупроводниковых пленок можно создавать уже трехмерные полупроводники с высокой производительностью и низким энергопотреблением.

"Важно отметить, что полупроводник представляет собой монокристаллическую пленку из напряженного кремния или кремния-германия, - говорит д-р Ма. - Натяжение создается так же, как на мембране. С появлением напряженности в кристалле меняется структура - атомы перестраиваются, и таким образом мы можем увеличить быстродействие и одновременно снизить энергопотребление".

Гибкие полупроводниковые устройства широко используются не только в компьютерных приложениях. Солнечные батареи, смарт-карты, чипы RFID, различные медицинские приложения, активные дисплеи - новая технология значительно улучшит характеристики этих устройств.

Возможно добавление полупроводников в ткань для создания "носимой электроники" или дисплеев, которые будут сворачиваться подобно шторам. "Это потенциальная смена парадигмы, - отмечает д-р Лагалли. - Технология создания быстрых, многослойных полупроводников с низким энергопотреблением везде найдет применение".

По мнению авторов разработки, кремниево-германиевые мембраны представляют особый интерес. Германий имеет гораздо большую адсорбционную способность к свету, чем кремний. Если добавлять германий, не нарушая качество полупроводниковой пленки, можно получить устройства, светочувствительность которых на два-три порядка выше, чем у ныне существующих. Эта возросшая светочувствительность позволит создавать камеры, работающие при слабом освещении, и миниатюрные камеры высокого разрешения.

  • Рахимзянов Магсум Рахимзянович
  • 11 сентября - День победы русской эскадры у мыса Тендра
  • 21 сентября - День победы русских полков в Куликовской битве
  • Путин оценил военный потенциал России
  • "Мнущаяся" электроника: новый технологический прорыв
  • Путин: Гонка вооружений в мире выходит на новый технологический уровень
  • Samsung сделал мобильный чип 45-нанометровым
  • Путин призвал обеспечить технологический суверенитет России в автопроме
  • Брусилов Алексей Алексеевич, не определен
  • Кожедуб Иван Никитович, Сумы
  • Вайнштейн Борис Яковлевич, Киев


  •