Тайваньские ученые сделали прорыв в разработке микрочипов. Им удалось создать микросхему памяти RRAM (resistive random access memory) размером всего 9 нанометров.
Новая память вмещает в 20 раз больше информации по сравнению с флеш-картами, используемыми в большинстве фотокамерах и сотовых аппаратах.
Кроме того, для работы микросхемы требуется в 200 раз меньше энергии по сравнению со стандартными устройствами.
Новая технология позволяет "уместить" на 1 кв. см 500 Гб данных. Емкость модуля памяти можно увеличить до 1,5 Тб, что позволит сохранить 200 часов видео, 100 тыс. песен или миллионы фотографий и документов.
К сожалению, продукты, оснащенные новой RRAM-памятью, появятся в продаже не раньше, чем через 5-10 лет, сообщает Taiwan Today. |
