поиск 
 
 
 
 
 
 Белые страницы однополчан
 Ищу тебя
 Список погибших 1941-1945
 Солдатские медальоны 1941-45
 
 
 
 
 
 
 История Отечества
Русско-турецкая война
Русско-японская война
Первая мировая война
Гражданская война
Вторая мировая война
Необъявленные войны СССР
Война в Афганистане
Война в Чечне
Грузино-российский конфликт
Осетино-ингушский конфликт
 
 
 
 Великие битвы
 Аллея Славы
 Великие полководцы
 
 
 
 
 
 
 Знаменательные даты
 Фронтовые письма
 Истории очевидцев
 Военные потери в войнах XX в.
 Города-герои
 
 
 
 
 
 
 Военная геральдика
Флаги РСФСР, 1918-1922
Знаки СССР
Ордена СССР
Медали СССР
Юбилейные медали СССР
Флаги СССР
Знаки отличия РФ
Ордена РФ
Медали РФ
Флаги РФ
 Организации
 Законодательные документы
 Военные песни
 Энциклопедия военной техники
 Военная проза и поэзия
 Кинофильмы
 


 
 
Наши проекты
Мировые новости Сайты для компаний Служба рассылки Игровой сервер Открытки любимым
Тесты
 
 



 



Russian Information Network
 
 

Samsung показала новый тип памяти

<<назад

Компания Samsung Electronics представила новый тип карты памяти, которая, по словам производителя, позволит цифровым устройствам работать быстрее благодаря ускоренному сохранению данных.

Как заявляют представители Samsung, чип PRAM позволяет хранить записанную информацию даже тогда, когда основное электронное устройство выключено, не говоря уже о том, что эта микросхема работает в 30 раз быстрее традиционной flash-карты. Новый чип появится в продаже в 2008 году, передает Associated Press.

В настоящее время в электронных устройствах широко используется два основных типа flash-карт "постоянной" памяти - NOR и NAND.

Карты типа NOR вполне подходят для непосредственной работы с приложениями, однако имеют меньшую скорость и довольно высокую цену, в то время как карты NAND предполагают большую емкость.

Как уверяют представители Samsung, в PRAM были применены диоды вертикального типа и трехмерная кристаллическая структура, что позволило добиться минимальных размеров чипа. В отличие от NOR и NAND, карты PRAM не требуют предварительного удаления старых данных перед записью новых.

Также в понедельник компания Samsung представила 32-гигабитную flash-карту NAND, основанную на улучшенной 40-нанометрической технологии. Размер самого маленького компонента микросхемы составляет 40 нанометров. До настоящего момента основная часть flash-карт Samsung выполнялась на базе 70-нанометрической технологии. Применение улучшенной технологии позволит повысить емкость полупроводникового чипа, а также снизить потребляемую им мощность.

Стоит отметить, что на данный момент компания Samsung является лидером в производстве карт памяти. Доходы компании, штаб-квартира которой расположена в Сувоне (Южная Корея), в прошлом году составилм 7,64 трлн вон ($8 млрд), тогда как в 2005 году этот показатель равнялся 57,46 трлн вон ($60 млрд).

  • 21 сентября - День победы русских полков в Куликовской битве
  • История фронтового письма
  • 15 февраля - День памяти воинов-интернационалистов
  • Samsung анонсировал выпуск 2-гигабайтной ММС-карты памяти для мобильников
  • Samsung показала новый тип памяти
  • Смартфон Samsung SCH-i830 уже скоро появится в продаже
  • Samsung выпустил самую тонкую флешку
  • Samsung всё-таки начинает производство 8-Гбит памяти NAND
  • Хмелевской Андрей Александрович, не определен
  • Марьяновский Моисей Фроимович, село Новый Буг
  • Девришбеков Султан-Ахмед Биренбекович, село Джаба


  •