поиск 
 
 
 
 
 
 Белые страницы однополчан
 Ищу тебя
 Список погибших 1941-1945
 Солдатские медальоны 1941-45
 
 
 
 
 
 
 История Отечества
Русско-турецкая война
Русско-японская война
Первая мировая война
Гражданская война
Вторая мировая война
Необъявленные войны СССР
Война в Афганистане
Война в Чечне
Грузино-российский конфликт
Осетино-ингушский конфликт
 
 
 
 Великие битвы
 Аллея Славы
 Великие полководцы
 
 
 
 
 
 
 Знаменательные даты
 Фронтовые письма
 Истории очевидцев
 Военные потери в войнах XX в.
 Города-герои
 
 
 
 
 
 
 Военная геральдика
Флаги РСФСР, 1918-1922
Знаки СССР
Ордена СССР
Медали СССР
Юбилейные медали СССР
Флаги СССР
Знаки отличия РФ
Ордена РФ
Медали РФ
Флаги РФ
 Организации
 Законодательные документы
 Военные песни
 Энциклопедия военной техники
 Военная проза и поэзия
 Кинофильмы
 


 
 
Наши проекты
Мировые новости Сайты для компаний Служба рассылки Игровой сервер Открытки любимым
Тесты
 
 



 



Russian Information Network
 
 

Samsung улучшает характеристики памяти ReRAM

<<назад

Исследователи из Samsung предложили новую технологию изготовления микросхем памяти ReRAM.

ReRAM - это энергонезависимая резистивная память с произвольным доступом. Ожидается, что микросхемы этого типа будут обладать меньшим энергопотреблением по сравнению с широко распространённой флеш-памятью NAND, значительно превосходя последнюю по быстродействию.

"Самсунг" предлагает отказаться от применения в ReRAM-микрочипах танталовой плёнки (Ta2O5) и использовать в качестве материала, изменяющего сопротивление, асимметричную двухслойную структуру Ta2O5-x/TaO2-x. Благодаря этому, как утверждается, можно добиться увеличения количества циклов перезаписи до одного триллиона, что примерно в миллион раз больше по сравнению с чипами флеш-памяти.

Отмечается, что время переключения ячейки ReRAM-памяти Samsung между двумя состояниями составляет всего 10 наносекунд, что также многократно превосходит показатель флеш-памяти. Кроме того, ReRAM-микросхемы выигрывают по энергопотреблению.

Использовать память нового типа планируется в персональных компьютерах, карманных медиаплеерах, видеокамерах и прочих гаджетах. Впрочем, о сроках коммерциализации предложенной технологии не сообщается.

Подготовлено по материалам PhysOrg.

  • История фронтового письма
  • 15 февраля - День памяти воинов-интернационалистов
  • Знак (значок) "Участнику Хасанских боёв"
  • Samsung улучшает характеристики памяти ReRAM
  • Samsung анонсировал выпуск 2-гигабайтной ММС-карты памяти для мобильников
  • Samsung всё-таки начинает производство 8-Гбит памяти NAND
  • Samsung Galaxy Apollo скоро появится в Европе
  • Ультратонкий мобильник Samsung SCH-B340 с поддержкой цифрового ТВ
  • Хмелевской Андрей Александрович, не определен
  • Колчанов Аркадий Михайлович, Киров
  • Арбатов Георгий Аркадьевич, Херсон


  •