поиск 
 
 
 
 
 
 Белые страницы однополчан
 Ищу тебя
 Список погибших 1941-1945
 Солдатские медальоны 1941-45
 
 
 
 
 
 
 История Отечества
Русско-турецкая война
Русско-японская война
Первая мировая война
Гражданская война
Вторая мировая война
Необъявленные войны СССР
Война в Афганистане
Война в Чечне
Грузино-российский конфликт
Осетино-ингушский конфликт
 
 
 
 Великие битвы
 Аллея Славы
 Великие полководцы
 
 
 
 
 
 
 Знаменательные даты
 Фронтовые письма
 Истории очевидцев
 Военные потери в войнах XX в.
 Города-герои
 
 
 
 
 
 
 Военная геральдика
Флаги РСФСР, 1918-1922
Знаки СССР
Ордена СССР
Медали СССР
Юбилейные медали СССР
Флаги СССР
Знаки отличия РФ
Ордена РФ
Медали РФ
Флаги РФ
 Организации
 Законодательные документы
 Военные песни
 Энциклопедия военной техники
 Военная проза и поэзия
 Кинофильмы
 


 
 
Наши проекты
Мировые новости Сайты для компаний Служба рассылки Игровой сервер Открытки любимым
Тесты
 
 



 



Russian Information Network
 
 

Транзисторы побили рекорд миниатюрности

<<назад

Инженеры Массачусетского технологического института создали рекордно миниатюрный МОП-транзистор на основе арсенида галлия-индия, размер которого составил 22 нанометра. Доклад о своей работе ученые представили на конференции в Сан-Франциско, кратко о ней пишет сайт института.

Рекорд миниатюризации удалось установить благодаря применению материала, который до этого не использовался при изготовлении подобных транзисторов. Арсенид галлия-индия широко известен в электронике, но применяется в основном для изготовления лазеров, СВЧ-генераторов, фотодатчиков и светодиодов.

В то же время, методы обработки, которые авторы применили для изготовления миниатюрного транзистора - эпитаксия и травление электронным лучом, были заимствованы из существующего арсенала кремниевой индустрии. Исток и сток изготавливались из молибдена, а выравнивание их контакта с затвором осуществлялось с помощью множественного распыления и травления.

Новый транзистор принадлежит к функциональному типу, наиболее распространенному при изготовлении микропроцессоров. Авторы разработки надеются, что в будущем им удастся изготовить на основе арсенида галлия-индия полноценный микрочип с рекордной плотностью транзисторов.

Ранее другая группа инженеров (также из MIT) применила для создания набора электронных устройств другой необычный материал - двумерный сульфид молибдена, который иногда называют самым известным конкурентом графена.

  • Транзисторы побили рекорд миниатюрности
  • Цена на золото побила новый абсолютный рекорд
  • Российские космонавты побили рекорд работы в открытом космосе
  • Американские теннисисты побили рекорд по числу побед
  • Садоводы-любители вырастили арбузы-гиганты
  • Воробьев Аркадий Никитич, Тамбов
  • Раскова Марина Михайловна, Москва
  • Гризодубова Валентина Степановна, Москва


  •